Descripción
Características técnicas
- Tipo: Transistor NPN de silicio epitaxial
- Estructura: Mini molde de 4 pines
- Aplicación: Amplificación de media salida
- Rendimiento: Alta ganancia con bajo nivel de ruido
- Característica especial: Baja capacidad de transferencia inversa
- Operación: Funcionamiento eficiente a baja tensión
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